- MOS1CT526A180J
MOS1CT526A180J 가격 및 조달
가능 수량
122520 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 MOS1CT526A180J 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. MOS1CT526A180J 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MOS1CT526A180J가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- MOS1CT526A180J 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MOS1CT526A180J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MOS1CT526A180J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MOS1CT526A180J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MOS1CT526A180J | |
| 관련 링크 | MOS1CT52, MOS1CT526A180J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
MOS1CT526A180J 의 관련 제품
 | 564R30GAD10PM | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.331" Dia(8.40mm) | 564R30GAD10PM.pdf | |
 | 445C25D14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25D14M31818.pdf | |
 | ASPI-0320S-3R3N-T3 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 125 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0320S-3R3N-T3.pdf | |
 | HCPL-J314-000E | 600mA Gate Driver Optical Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP | HCPL-J314-000E.pdf | |
| P1200P60 | P1200P60 ON DIP-8 | P1200P60.pdf | |
| NJM2112-TE2 | NJM2112-TE2 JRC SSOP14 | NJM2112-TE2.pdf | |
| T354L227K010AT | T354L227K010AT KEMET SMD or Through Hole | T354L227K010AT.pdf | |
| X24C1665 | X24C1665 XC SMD-8 | X24C1665.pdf | |
| B41605A0278M008 | B41605A0278M008 EPCOS DIP-2 | B41605A0278M008.pdf | |
| MSP430F212 | MSP430F212 TI TSSOP28 | MSP430F212.pdf |