창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MNR18ERAPJ330 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MNR Series General Purpose | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | MNR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 33 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 저항기 개수 | 8 | |
| 핀 개수 | 16 | |
| 소자별 전력 | 62.5mW | |
| 온도 계수 | ±250ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1606, 볼록형, 장측 단자 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 크기/치수 | 0.157" L x 0.063" W(4.00mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.020"(0.50mm) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | MNR18ERAPJ330-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MNR18ERAPJ330 | |
| 관련 링크 | MNR18ER, MNR18ERAPJ330 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 3KASMC11HE3_A/H | TVS DIODE 11VWM 20.1VC DO214AB | 3KASMC11HE3_A/H.pdf | |
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![]() | V1000L-P | V1000L-P ORIGINAL SMD or Through Hole | V1000L-P.pdf | |
![]() | EP20K200CF484C6N | EP20K200CF484C6N ALTERA BGA | EP20K200CF484C6N.pdf | |
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![]() | SL4-2R2J | SL4-2R2J ORIGINAL SMD or Through Hole | SL4-2R2J.pdf | |
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![]() | 2SA1588-GR(TE85R | 2SA1588-GR(TE85R TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1588-GR(TE85R.pdf | |
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![]() | BZX79-C16.133 | BZX79-C16.133 NXP/PH SMD or Through Hole | BZX79-C16.133.pdf | |
![]() | CVC055-601790 | CVC055-601790 CRYSTEK QFN-16 | CVC055-601790.pdf | |
![]() | BZV85-C56,133 | BZV85-C56,133 NXP SMD or Through Hole | BZV85-C56,133.pdf |