창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMUN2236LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)236, DTC115xx | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 100k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMUN2236LT1G | |
| 관련 링크 | MMUN223, MMUN2236LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 870025374005 | 330µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 12 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 870025374005.pdf | |
![]() | SIT8920AM-12-33E-58.982400D | OSC XO 3.3V 58.9824MHZ OE | SIT8920AM-12-33E-58.982400D.pdf | |
![]() | ISL6534CRZ-T | ISL6534CRZ-T ITS QFN | ISL6534CRZ-T.pdf | |
![]() | LMX321AUK+T TEL:82 | LMX321AUK+T TEL:82 MAXIM SOT153 | LMX321AUK+T TEL:82.pdf | |
![]() | TSOP1830 | TSOP1830 tfk SMD or Through Hole | TSOP1830.pdf | |
![]() | 331KTM1005H365H | 331KTM1005H365H ORIGINAL SMD or Through Hole | 331KTM1005H365H.pdf | |
![]() | A24W-OH-K | A24W-OH-K ORIGINAL SMD or Through Hole | A24W-OH-K.pdf | |
![]() | WBLXT9785HC.C2V | WBLXT9785HC.C2V INTEL QFP | WBLXT9785HC.C2V.pdf | |
![]() | ISPGDX160VA-7B208-9 | ISPGDX160VA-7B208-9 LATTICE BGA208 | ISPGDX160VA-7B208-9.pdf | |
![]() | K6F1008V2M-GC70 | K6F1008V2M-GC70 SAMSUNG SOP-32 | K6F1008V2M-GC70.pdf | |
![]() | DV-JN03-16 AAQA | DV-JN03-16 AAQA VINEYARD QFP | DV-JN03-16 AAQA.pdf |