홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » MMUN2217LT1G

ON Semiconductor MMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G
제조업체 부품 번호
MMUN2217LT1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
데이터 시트 다운로드
다운로드
MMUN2217LT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 54.61000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MMUN2217LT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MMUN2217LT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMUN2217LT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MMUN2217LT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MMUN2217LT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MMUN2217LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMUN2217L, NSVMMUN2217L
PCN 설계/사양Copper Wire Update 10/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce35 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대246mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMUN2217LT1G
관련 링크MMUN221, MMUN2217LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MMUN2217LT1G 의 관련 제품
RES SMD 6.2M OHM 5% 1/10W 0603 CRCW06036M20JNEA.pdf
RES SMD 47.5KOHM 0.01% 1/4W 0805 PLT0805Z4752LBTS.pdf
LED 드라이버 IC 1 출력 DC DC 조정기 스텝다운(벅) PWM 조광 700mA 8-SOIC 노출형 패드 MAX16832AASA+.pdf
SC3015-N2 ORIGINAL SMD or Through Hole SC3015-N2.pdf
SM4935 1A 500V ORIGINAL LL14 SM4935 1A 500V.pdf
K522H1GACD-A060 SAMSUNG BGA K522H1GACD-A060.pdf
TNY177P POWER DIP-7 TNY177P.pdf
CDB4073BF3A HARIS SMD or Through Hole CDB4073BF3A.pdf
PEB2186NV1-1 INFINEON PLCC-44 PEB2186NV1-1.pdf
LA56S1-P20C /S2XY /S20C LEDTECH DIP LA56S1-P20C /S2XY /S20C.pdf
M30803FGGP#D5M RENESAS QFP M30803FGGP#D5M.pdf