창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMUN2217LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMUN2217L, NSVMMUN2217L | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMUN2217LT1G | |
| 관련 링크 | MMUN221, MMUN2217LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CC0805JRNPOABN180 | 18pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPOABN180.pdf | |
![]() | 1812WC102MATME | 1000pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WC102MATME.pdf | |
![]() | WP56BSRD/B | Red 640nm LED Indication - Discrete 14V Radial | WP56BSRD/B.pdf | |
![]() | T491E107M016AS | T491E107M016AS KEMET SMD | T491E107M016AS.pdf | |
![]() | CG31134-642 | CG31134-642 FUJITSU QFP256 | CG31134-642.pdf | |
![]() | FDD5N50 | FDD5N50 FAIRCHILD TO-252 | FDD5N50.pdf | |
![]() | W78LE812F-24/ | W78LE812F-24/ WIN SMD or Through Hole | W78LE812F-24/.pdf | |
![]() | EP3C80F484C | EP3C80F484C ALTERA BGA | EP3C80F484C.pdf | |
![]() | SL065967.04 | SL065967.04 NSC Call | SL065967.04.pdf | |
![]() | FRD203 | FRD203 ST SMD or Through Hole | FRD203.pdf | |
![]() | TLP115A(F) | TLP115A(F) TOS SOP5 | TLP115A(F).pdf | |
![]() | CS10-16.000MABJTR | CS10-16.000MABJTR CITIZEN SMD or Through Hole | CS10-16.000MABJTR.pdf |