창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMUN2138LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN2138/5138, DTA123T, NSBA123TF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMUN2138LT1G | |
| 관련 링크 | MMUN213, MMUN2138LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0697H8000-05 | FUSE BRD MNT 8A 350VAC 72VDC | 0697H8000-05.pdf | |
![]() | NRS4018T101MDGJ | 100µH Shielded Wirewound Inductor 280mA 1.74 Ohm Max Nonstandard | NRS4018T101MDGJ.pdf | |
![]() | 4232R-271J | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 720 mOhm Max 2-SMD | 4232R-271J.pdf | |
![]() | 4470-33F | 470µH Unshielded Molded Inductor 170mA 17 Ohm Max Axial | 4470-33F.pdf | |
![]() | Y00751K43860T0L | RES 1.4386K OHM 0.3W 0.01% RAD | Y00751K43860T0L.pdf | |
![]() | RF8105A | RF8105A RFMD QFN | RF8105A.pdf | |
![]() | SN74ABT240DBR | SN74ABT240DBR PH SMD or Through Hole | SN74ABT240DBR.pdf | |
![]() | 800-30334-02 | 800-30334-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | 800-30334-02.pdf | |
![]() | LE82US15EC-SLGQA | LE82US15EC-SLGQA INTEL BGA | LE82US15EC-SLGQA.pdf | |
![]() | RUE160-1 | RUE160-1 RAYCHEM SMD or Through Hole | RUE160-1.pdf | |
![]() | 54AC08DMQB | 54AC08DMQB TI CDIP | 54AC08DMQB.pdf | |
![]() | NDC632P TEL:827664 | NDC632P TEL:827664 FAIR SOT163 | NDC632P TEL:827664.pdf |