홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » MMUN2116LT1G

ON Semiconductor MMUN2116LT1G

MMUN2116LT1G
제조업체 부품 번호
MMUN2116LT1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MMUN2116LT1G 가격 및 조달

가능 수량

26550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 14.29620
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MMUN2116LT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MMUN2116LT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMUN2116LT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MMUN2116LT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MMUN2116LT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MMUN2116LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx
PCN 설계/사양Gold to Copper Wire 14/Oct/2008
Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire Update 10/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대246mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
다른 이름MMUN2116LT1G-ND
MMUN2116LT1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MMUN2116LT1G
관련 링크MMUN211, MMUN2116LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MMUN2116LT1G 의 관련 제품
0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.150" Dia x 0.290" L(3.81mm x 7.37mm) C430C683K1R5TA7200.pdf
RES SMD 88.7 OHM 1% 1/32W 01005 RC0100FR-0788R7L.pdf
RES 33K OHM 1/4W 1% AXIAL CMF5033K000FKEK.pdf
RA255 MCC/GOOD-ARK RA() RA255.pdf
T40N03R ON SOT-252 T40N03R.pdf
BD239B-S bourns DIP BD239B-S.pdf
KS-XXXXX KS SMD or Through Hole KS-XXXXX.pdf
2104-3-01-01-00-00-07-0 AmphenolRF SMD or Through Hole 2104-3-01-01-00-00-07-0.pdf
LC92007B-947 SANYO QFP LC92007B-947.pdf
CRH300J ROHM SMD or Through Hole CRH300J.pdf