창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMUN2113LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3 | |
PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 14/Oct/2008 Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 246mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMUN2113LT1GOS MMUN2113LT1GOS-ND MMUN2113LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMUN2113LT1G | |
관련 링크 | MMUN211, MMUN2113LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AR0603JR-07330RL | RES SMD 330 OHM 5% 1/10W 0603 | AR0603JR-07330RL.pdf | |
![]() | EM14A0D-C24-L016S | ENCODER OPT ROTARY | EM14A0D-C24-L016S.pdf | |
![]() | 753JG1K | NTC Thermistor 75k DO-204AH, DO-35, Axial | 753JG1K.pdf | |
![]() | QDSP-H449 | QDSP-H449 hp/Agilent DIP | QDSP-H449.pdf | |
![]() | XC68EN360ZP25B | XC68EN360ZP25B MOT BGA | XC68EN360ZP25B.pdf | |
![]() | APA150-TQGI00I----ACTEL | APA150-TQGI00I----ACTEL ACTEL PQFP208 | APA150-TQGI00I----ACTEL.pdf | |
![]() | VGC7219A0669/344S060 | VGC7219A0669/344S060 VLSI PLCC | VGC7219A0669/344S060.pdf | |
![]() | KQ1008TE J(0.2 | KQ1008TE J(0.2 KOA SMD or Through Hole | KQ1008TE J(0.2.pdf | |
![]() | IF2409D-1W | IF2409D-1W MORNSUN DIP | IF2409D-1W.pdf |