창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMUN2111LT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 | |
PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 14/Oct/2008 Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 246mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | MMUN2111LT3G-ND MMUN2111LT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMUN2111LT3G | |
관련 링크 | MMUN211, MMUN2111LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 170M6698 | FUSE SQ 1KA 1.3KVAC RECTANGULAR | 170M6698.pdf | |
![]() | Y000718K9900V0L | RES 18.99K OHM 0.6W 0.005% RAD | Y000718K9900V0L.pdf | |
![]() | 945-P | 945-P KEC TO220 | 945-P.pdf | |
![]() | ASIC96-10D | ASIC96-10D MIT QFP | ASIC96-10D.pdf | |
![]() | 1N4624-1JANTX | 1N4624-1JANTX MSC SMD or Through Hole | 1N4624-1JANTX.pdf | |
![]() | LM387N #T | LM387N #T NS DIP-8P | LM387N #T.pdf | |
![]() | MH373 | MH373 TI TVSOP48 | MH373.pdf | |
![]() | HS-40Q-B | HS-40Q-B HSE AC-DC | HS-40Q-B.pdf | |
![]() | ECJ0EU1H3R0B 0.1% | ECJ0EU1H3R0B 0.1% ORIGINAL SMD or Through Hole | ECJ0EU1H3R0B 0.1%.pdf | |
![]() | LAH-100V271MS5 | LAH-100V271MS5 ELNA SMD or Through Hole | LAH-100V271MS5.pdf | |
![]() | SHA-120M | SHA-120M PREMO SMD | SHA-120M.pdf |