- MMT1H335J
- 제조업체 부품 번호
- MMT1H335J
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 3
- 간단한 설명
- MMT1H335J NISSEI SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
MMT1H335J 가격 및 조달
가능 수량
114720 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 MMT1H335J 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. MMT1H335J 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MMT1H335J가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- MMT1H335J 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMT1H335J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMT1H335J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MMT1H335J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MMT1H335J | |
| 관련 링크 | MMT1H, MMT1H335J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
MMT1H335J 의 관련 제품
| F151K33Y5RR6TK7R | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | F151K33Y5RR6TK7R.pdf | |
| HAE682MBACRAKR | 6800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HAE682MBACRAKR.pdf | |
| SIT9003AC-23-33EB-25.00000Y | OSC XO 3.3V 25MHZ OE 0.25% | SIT9003AC-23-33EB-25.00000Y.pdf | |
| DB2J31100L | DIODE GEN PURP 30V 200MA SC90 | DB2J31100L.pdf | |
| 734-265 | 734-265 WAGO ORIGINAL | 734-265.pdf | |
| 500034-002 | 500034-002 ORIGINAL SMD or Through Hole | 500034-002.pdf | |
| X225AKA13 | X225AKA13 ATI BGA | X225AKA13.pdf | |
| RF,ETLQUETTENO:E002010733 | RF,ETLQUETTENO:E002010733 NANXING SMD or Through Hole | RF,ETLQUETTENO:E002010733.pdf | |
| 6433038MB7F | 6433038MB7F HIT QFP80 | 6433038MB7F.pdf | |
| BLK-89-S | BLK-89-S MINI SMD or Through Hole | BLK-89-S.pdf | |
| HB1M2012-121JT | HB1M2012-121JT CTC SMD or Through Hole | HB1M2012-121JT.pdf | |
| A16F80M | A16F80M IR SMD or Through Hole | A16F80M.pdf |