창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ6V2T1-VL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MMSZ6V2T1-VL | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ6V2T1-VL | |
| 관련 링크 | MMSZ6V2, MMSZ6V2T1-VL 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]()  | 1PMT5950A/TR7 | DIODE ZENER 110V 3W DO216AA | 1PMT5950A/TR7.pdf | |
![]()  | LF2420NP-203 | 20mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 700mA DCR 870 mOhm | LF2420NP-203.pdf | |
![]()  | MP930-470-1% | RES 470 OHM 30W 1% TO220 | MP930-470-1%.pdf | |
![]()  | TMCP0G336MTRF | TMCP0G336MTRF HITACHI SMD or Through Hole | TMCP0G336MTRF.pdf | |
![]()  | KM416S4030CT-F8 | KM416S4030CT-F8 Samsung IC SDRAM 64M(1M 16Bi | KM416S4030CT-F8.pdf | |
![]()  | BCR8LM-12LD | BCR8LM-12LD Renesas TO-220F | BCR8LM-12LD.pdf | |
![]()  | IFD0455C28E03 | IFD0455C28E03 SAMSUNG SMD | IFD0455C28E03.pdf | |
![]()  | SC442402DW | SC442402DW MOTOROLA SOP | SC442402DW.pdf | |
![]()  | NCU8501D10R2G | NCU8501D10R2G ORIGINAL SMD or Through Hole | NCU8501D10R2G.pdf | |
![]()  | PHB152NQ03LT | PHB152NQ03LT ORIGINAL SMD or Through Hole | PHB152NQ03LT .pdf | |
![]()  | 100LSW6800M36X118 | 100LSW6800M36X118 RUBYCON DIP | 100LSW6800M36X118.pdf | |
![]()  | XZMG55W-3 | XZMG55W-3 SUNLED SMD | XZMG55W-3.pdf |