창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5250BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5250BT1GOS MMSZ5250BT1GOS-ND MMSZ5250BT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5250BT1G | |
관련 링크 | MMSZ525, MMSZ5250BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 4P049F35IDT | 4.9152MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P049F35IDT.pdf | |
![]() | AIUR-04-151J | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2 Ohm Max Radial | AIUR-04-151J.pdf | |
![]() | RT2010DKE07270RL | RES SMD 270 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE07270RL.pdf | |
![]() | ZC85153P | ZC85153P MOTOROLA DIP40 | ZC85153P.pdf | |
![]() | TDA2320N | TDA2320N ST DIP-8 | TDA2320N.pdf | |
![]() | EN313CES | EN313CES ORIGINAL QFN | EN313CES.pdf | |
![]() | AOT-1615YB42A-N4-N-3 | AOT-1615YB42A-N4-N-3 AOT ROHS | AOT-1615YB42A-N4-N-3.pdf | |
![]() | P89V52X2FN` | P89V52X2FN` NXP SMD or Through Hole | P89V52X2FN`.pdf | |
![]() | NJU9252D | NJU9252D ORIGINAL DIP-18 | NJU9252D.pdf | |
![]() | TXS0108ERGY | TXS0108ERGY TI QFN | TXS0108ERGY.pdf | |
![]() | HR605299 | HR605299 HR SMD or Through Hole | HR605299.pdf | |
![]() | JST1105RTA-2 | JST1105RTA-2 JAESANG SMD or Through Hole | JST1105RTA-2.pdf |