창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5250B-TP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ5221B thru MMSZ5261B(C) | |
| 제품 교육 모듈 | Diode Handling and Mounting | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Micro Commercial Co | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5250B-TP-ND MMSZ5250B-TPMSTR MMSZ5250BTP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5250B-TP | |
| 관련 링크 | MMSZ525, MMSZ5250B-TP 데이터 시트, Micro Commercial Co 에이전트 유통 | |
![]() | C911U520JZSDBAWL45 | 52pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U520JZSDBAWL45.pdf | |
![]() | 416F50022ATT | 50MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50022ATT.pdf | |
![]() | 2900068 | CONN TERM BLOCK | 2900068.pdf | |
![]() | 4416P-851-001 | RES ARRAY 8 RES ZERO OHM 16SOIC | 4416P-851-001.pdf | |
![]() | CMF5530R900DEBF | RES 30.9 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5530R900DEBF.pdf | |
![]() | MX7581J/D | MX7581J/D MAXIM SMD or Through Hole | MX7581J/D.pdf | |
![]() | UPD780022CW081 | UPD780022CW081 NEC DIP | UPD780022CW081.pdf | |
![]() | UPD78214CW-P02 | UPD78214CW-P02 NEC DIP | UPD78214CW-P02.pdf | |
![]() | M53620812CB0-C60 | M53620812CB0-C60 Samsung SMD or Through Hole | M53620812CB0-C60.pdf | |
![]() | A706B | A706B ORIGINAL QFN | A706B.pdf | |
![]() | CS-L32A1C1R5K-T3 | CS-L32A1C1R5K-T3 NEC SMD or Through Hole | CS-L32A1C1R5K-T3.pdf | |
![]() | ATPL-0802 | ATPL-0802 ATECH SMD or Through Hole | ATPL-0802.pdf |