창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5250B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5250B-FDITR MMSZ5250B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5250B-7-F | |
| 관련 링크 | MMSZ525, MMSZ5250B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | LVR01R0300FS70 | RES .03 OHM 1% 1W AXIAL WW | LVR01R0300FS70.pdf | |
![]() | BAT24-02LSE6327 | BAT24-02LSE6327 Infineon SMD or Through Hole | BAT24-02LSE6327.pdf | |
![]() | LMV110M7X/NOPB | LMV110M7X/NOPB National SC70-5 | LMV110M7X/NOPB.pdf | |
![]() | MAX764EVKIT-SO | MAX764EVKIT-SO MAXIM EVKIT-SO | MAX764EVKIT-SO.pdf | |
![]() | C78213 | C78213 NEC SOP | C78213.pdf | |
![]() | MB81C4256-10PSZ | MB81C4256-10PSZ FUJI ZIP20 | MB81C4256-10PSZ.pdf | |
![]() | LMK03002ISQX | LMK03002ISQX NS LLP | LMK03002ISQX.pdf | |
![]() | SMBJ100CAT3G | SMBJ100CAT3G ON SMB | SMBJ100CAT3G.pdf | |
![]() | 309521600K | 309521600K ORIGINAL SMD or Through Hole | 309521600K.pdf | |
![]() | K4R881869I-DCT9 | K4R881869I-DCT9 SAMSUNG BGA | K4R881869I-DCT9.pdf | |
![]() | XC7372-2PQ100 | XC7372-2PQ100 XILINX QFP | XC7372-2PQ100.pdf |