창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5246B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5246B-FDITR MMSZ5246B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5246B-7-F | |
관련 링크 | MMSZ524, MMSZ5246B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | IMC1210BN10NK | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 734mA 130 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN10NK.pdf | |
![]() | TNPW040228K0BEED | RES SMD 28K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040228K0BEED.pdf | |
![]() | 1741BGAJC | 1741BGAJC MOTOROLA SMD or Through Hole | 1741BGAJC.pdf | |
![]() | MP10072ES | MP10072ES MPS SOP | MP10072ES.pdf | |
![]() | 1060455-1 | 1060455-1 AMP con | 1060455-1.pdf | |
![]() | FAR-F6CE-1G8800-L2XZ | FAR-F6CE-1G8800-L2XZ FUJITSU ORIGINAL | FAR-F6CE-1G8800-L2XZ.pdf | |
![]() | 72018F02 | 72018F02 ALPINE SOP | 72018F02.pdf | |
![]() | MBM29F017A-90PFTN | MBM29F017A-90PFTN FUJITSU TSOP48 | MBM29F017A-90PFTN.pdf | |
![]() | DY03D03-2W | DY03D03-2W YAOHUA SIP | DY03D03-2W.pdf | |
![]() | 80C186XL25 | 80C186XL25 INTEL PLCC68P | 80C186XL25.pdf | |
![]() | 16C716/JW-ES(PIC16C716) | 16C716/JW-ES(PIC16C716) Microchip CWDIP18 | 16C716/JW-ES(PIC16C716).pdf | |
![]() | SST39VF1682-70-4C-B3K | SST39VF1682-70-4C-B3K SST BGA | SST39VF1682-70-4C-B3K.pdf |