창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5243BT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 9.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5243BT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5243BT1G | |
| 관련 링크 | MMSZ524, MMSZ5243BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG5640E3/TR13 | TVS DIODE 16.2VWM 29.1VC DO215AB | SMCG5640E3/TR13.pdf | |
![]() | MLF2012D82NMT000 | 82nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012D82NMT000.pdf | |
![]() | ELC-09D562DF | 5.6mH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 12.6 Ohm Radial | ELC-09D562DF.pdf | |
![]() | CRCW08052R67FKEAHP | RES SMD 2.67 OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08052R67FKEAHP.pdf | |
![]() | L833QRC | L833QRC AOPLED ROHS | L833QRC.pdf | |
![]() | V-01-1C22 | V-01-1C22 OMRON SMD or Through Hole | V-01-1C22.pdf | |
![]() | 35MXC4700M20X35 | 35MXC4700M20X35 RUBYCON DIP | 35MXC4700M20X35.pdf | |
![]() | MM-B0207-1-50-2000-F | MM-B0207-1-50-2000-F IRC SMD or Through Hole | MM-B0207-1-50-2000-F.pdf | |
![]() | PTB3J88-5648T-SC/PC+ | PTB3J88-5648T-SC/PC+ PHOTON SMD or Through Hole | PTB3J88-5648T-SC/PC+.pdf | |
![]() | PK-16V102MI5 | PK-16V102MI5 ELNA DIP | PK-16V102MI5.pdf | |
![]() | 16NW74.7M4X7 | 16NW74.7M4X7 RUBYCON DIP | 16NW74.7M4X7.pdf |