창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5242B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5242B-FDITR MMSZ5242B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5242B-7-F | |
| 관련 링크 | MMSZ524, MMSZ5242B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CDBQC0130L-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0402 | CDBQC0130L-HF.pdf | |
![]() | MLG1005S27NJTD25 | 27nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 800 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S27NJTD25.pdf | |
![]() | DFEH10040D-2R2M=P3 | 2.2µH Shielded Inductor 12A 7.5 mOhm Max Nonstandard | DFEH10040D-2R2M=P3.pdf | |
![]() | FSBU3NH60 | FSBU3NH60 FAIRCHLD SMD or Through Hole | FSBU3NH60.pdf | |
![]() | S1364_X1 | S1364_X1 INFINEON SOP8 | S1364_X1.pdf | |
![]() | LA769327N55N4 | LA769327N55N4 SANKEN DIP64 | LA769327N55N4.pdf | |
![]() | QK008VH3 | QK008VH3 Teccor/L TO-251 | QK008VH3.pdf | |
![]() | MB670637M-G | MB670637M-G FUJITSU DIP | MB670637M-G.pdf | |
![]() | XC95144XL-7CSG144I | XC95144XL-7CSG144I XILINX SMD or Through Hole | XC95144XL-7CSG144I.pdf | |
![]() | AES1510-I-JF-TR-NIOA | AES1510-I-JF-TR-NIOA AUTHENTEC BGA39 | AES1510-I-JF-TR-NIOA.pdf | |
![]() | LFE8538 | LFE8538 DELTA SMD or Through Hole | LFE8538.pdf | |
![]() | CV181EPAG8 | CV181EPAG8 IDT TSSOP | CV181EPAG8.pdf |