창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5240C-HE3-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ(5225 -5267) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5240C-HE3-18 | |
| 관련 링크 | MMSZ5240C, MMSZ5240C-HE3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0805D111GXXAR | 110pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111GXXAR.pdf | |
![]() | DSC1001DL2-100.0000 | 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001DL2-100.0000.pdf | |
![]() | Y118918K0140TR0L | RES 18.014KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118918K0140TR0L.pdf | |
![]() | A1657N | A1657N ORIGINAL SMD or Through Hole | A1657N.pdf | |
![]() | 7001153-JPLUTO | 7001153-JPLUTO ASTEC BGA | 7001153-JPLUTO.pdf | |
![]() | PESD5V0L2B | PESD5V0L2B NXP SMD or Through Hole | PESD5V0L2B.pdf | |
![]() | LTD-2601G-11 | LTD-2601G-11 Lite-On SMD or Through Hole | LTD-2601G-11.pdf | |
![]() | IXTQ82N26T | IXTQ82N26T N/A NULL | IXTQ82N26T.pdf | |
![]() | UPD784060GC(A)-E20-3B9-C | UPD784060GC(A)-E20-3B9-C NEC QFP | UPD784060GC(A)-E20-3B9-C.pdf | |
![]() | TLV809I50DBVT.. | TLV809I50DBVT.. SOT-- TI | TLV809I50DBVT...pdf | |
![]() | JRC556 | JRC556 ORIGINAL SMD | JRC556.pdf |