창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5233B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ5233B-FDITR MMSZ5233B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ5233B-7-F | |
| 관련 링크 | MMSZ523, MMSZ5233B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D200GLPAJ | 20pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200GLPAJ.pdf | |
![]() | RLP73K3AR56FTDF | RES SMD 0.56 OHM 1% 2W 2512 | RLP73K3AR56FTDF.pdf | |
![]() | EM78P156ELP-G6 | EM78P156ELP-G6 EMC DIP18 | EM78P156ELP-G6.pdf | |
![]() | FAR-F6KA-1G7675-D4CTSZ | FAR-F6KA-1G7675-D4CTSZ FUJITSU 0603-5 | FAR-F6KA-1G7675-D4CTSZ.pdf | |
![]() | MCP1630VT-E/MS | MCP1630VT-E/MS Microchip 8-TSSOP | MCP1630VT-E/MS.pdf | |
![]() | 63RX50470M18X35.5 | 63RX50470M18X35.5 Rubycon DIP-2 | 63RX50470M18X35.5.pdf | |
![]() | NB1206SB104JB | NB1206SB104JB GESensing SMD | NB1206SB104JB.pdf | |
![]() | 2SK3572-ZK | 2SK3572-ZK NEC SOT-263 | 2SK3572-ZK.pdf | |
![]() | R5F6456FKFD | R5F6456FKFD Renesas SMD or Through Hole | R5F6456FKFD.pdf | |
![]() | CXK5864AP-12L | CXK5864AP-12L SONY DIP | CXK5864AP-12L.pdf | |
![]() | 100-7651-01AGERE4311T | 100-7651-01AGERE4311T SUN BGA | 100-7651-01AGERE4311T.pdf |