창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5231B-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5231BDITR MMSZ5231BTR MMSZ5231BTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5231B-7 | |
관련 링크 | MMSZ52, MMSZ5231B-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GRM1555C1H3R8BA01D | 3.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H3R8BA01D.pdf | |
![]() | SR655E105MAATR1 | 1µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR655E105MAATR1.pdf | |
![]() | CDV30FF162GO3 | MICA | CDV30FF162GO3.pdf | |
![]() | 416F250X2CDR | 25MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2CDR.pdf | |
![]() | RD3.0L-T1 | RD3.0L-T1 NEC LL-34 | RD3.0L-T1.pdf | |
![]() | 6035 12.288MHZ | 6035 12.288MHZ ORIGINAL 6035 | 6035 12.288MHZ.pdf | |
![]() | LH28F320S3TD-L10 | LH28F320S3TD-L10 SHARP TSSOP56 | LH28F320S3TD-L10.pdf | |
![]() | ZMM7 5V | ZMM7 5V ST SOP | ZMM7 5V.pdf | |
![]() | BCM5704CKRB P20 | BCM5704CKRB P20 Broadcom RBGA300P | BCM5704CKRB P20.pdf | |
![]() | RD4B2AY431J-T1 | RD4B2AY431J-T1 TAIYO SMD or Through Hole | RD4B2AY431J-T1.pdf | |
![]() | TLE4206G. | TLE4206G. INFINEON SOP-14 | TLE4206G..pdf | |
![]() | BC327-25-ON | BC327-25-ON ON SMD or Through Hole | BC327-25-ON.pdf |