창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5231B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ5221B - MMSZ5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 29/Aug/2008 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5231B-FDITR MMSZ5231B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5231B-7-F | |
관련 링크 | MMSZ523, MMSZ5231B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | NR3010T100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 510mA 540 mOhm Max Nonstandard | NR3010T100M.pdf | |
![]() | RE0805FRE07470RL | RES SMD 470 OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE07470RL.pdf | |
![]() | F1214 | F1214 POLYFET SMD or Through Hole | F1214.pdf | |
![]() | C3216Y5V1E475ZT000 | C3216Y5V1E475ZT000 TDK 1206 | C3216Y5V1E475ZT000.pdf | |
![]() | TSL1112RA-220K2R9- | TSL1112RA-220K2R9- TDK DIP | TSL1112RA-220K2R9-.pdf | |
![]() | 2SD1684S | 2SD1684S SANYO TO126F | 2SD1684S.pdf | |
![]() | GM76C256BLT-85 | GM76C256BLT-85 HYNIX TSSOP28 | GM76C256BLT-85.pdf | |
![]() | LFSB25N15B 1662B A - | LFSB25N15B 1662B A - muRata SMD or Through Hole | LFSB25N15B 1662B A -.pdf | |
![]() | RSF1/2B 391J | RSF1/2B 391J AUK NA | RSF1/2B 391J.pdf | |
![]() | 2SK2807-01S | 2SK2807-01S FUJI SOT263 | 2SK2807-01S.pdf | |
![]() | BZX384-C5V6,115 | BZX384-C5V6,115 NXP SMD or Through Hole | BZX384-C5V6,115.pdf | |
![]() | 133P80424L2 | 133P80424L2 ORIGINAL DIP-8 | 133P80424L2.pdf |