창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5228BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5228BT1GOS MMSZ5228BT1GOS-ND MMSZ5228BT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5228BT1G | |
관련 링크 | MMSZ522, MMSZ5228BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
12063C154MAT2A | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063C154MAT2A.pdf | ||
5HFP 630 | FUSE CERAMIC 630MA 250VAC 5X20MM | 5HFP 630.pdf | ||
TC124-FR-0746R4L | RES ARRAY 4 RES 46.4 OHM 0804 | TC124-FR-0746R4L.pdf | ||
RSF200JB-73-4K3 | RES 4.3K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-4K3.pdf | ||
HMC384LP4E | RF Amplifier IC General Purpose 2.05GHz ~ 2.25GHz 24-QFN (4x4) | HMC384LP4E.pdf | ||
R103G30 | R103G30 SANXIN SMD | R103G30.pdf | ||
SFI1210ML560C | SFI1210ML560C ZOV() SMD or Through Hole | SFI1210ML560C.pdf | ||
NJM78M05DLA-TEL | NJM78M05DLA-TEL JRC SMD or Through Hole | NJM78M05DLA-TEL.pdf | ||
QSMA-A115-Q00J1 | QSMA-A115-Q00J1 AVAGO ROHS | QSMA-A115-Q00J1.pdf | ||
RT8111E | RT8111E REALTEK QFN | RT8111E.pdf | ||
163SED012UH | 163SED012UH FUJITSU DIP-SOP | 163SED012UH.pdf | ||
GP1S20(S47) | GP1S20(S47) SHARP DIP4p | GP1S20(S47).pdf |