창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5222BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5222BT1G-ND MMSZ5222BT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5222BT1G | |
관련 링크 | MMSZ522, MMSZ5222BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
DSC1001CL2-050.0000 | 50MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001CL2-050.0000.pdf | ||
R56D/SPR6764-P61 | R56D/SPR6764-P61 CONEXANT QFP1420-100 | R56D/SPR6764-P61.pdf | ||
LE9502BTCJ | LE9502BTCJ LEGRTY QFP | LE9502BTCJ.pdf | ||
MCP79-ION LE | MCP79-ION LE INTEL BGA | MCP79-ION LE.pdf | ||
BUF634U/P | BUF634U/P BB SOP | BUF634U/P.pdf | ||
DN5400 | DN5400 NEC TSS0P30 | DN5400.pdf | ||
TMS27C512JLALDQ | TMS27C512JLALDQ TI SMD or Through Hole | TMS27C512JLALDQ.pdf | ||
AS2320-7R | AS2320-7R ORIGINAL SMD or Through Hole | AS2320-7R.pdf | ||
DS1982+F3 | DS1982+F3 DALLAS BUTTON | DS1982+F3.pdf | ||
TC35162FG-501(BR) | TC35162FG-501(BR) Toshiba SMD or Through Hole | TC35162FG-501(BR).pdf | ||
D0312 | D0312 MSC SMD or Through Hole | D0312.pdf |