창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ4678T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ4yyyT1G, SZMMSZ4yyyT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 1.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 7.5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ4678T1GOS MMSZ4678T1GOS-ND MMSZ4678T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ4678T1G | |
관련 링크 | MMSZ46, MMSZ4678T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 7A12070007 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A12070007.pdf | |
![]() | CE3291-3.686400 | 3.6864MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | CE3291-3.686400.pdf | |
![]() | 1N647-1 | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | 1N647-1.pdf | |
![]() | VS-6EWX06FNTRLHM3 | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK | VS-6EWX06FNTRLHM3.pdf | |
![]() | 8B.37600.401 | 8B.37600.401 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8B.37600.401.pdf | |
![]() | AD22003BRZ | AD22003BRZ AD SOP-28 | AD22003BRZ.pdf | |
![]() | LC4064B-25T44C-10I | LC4064B-25T44C-10I Lattice TQFP44 | LC4064B-25T44C-10I.pdf | |
![]() | M320-J1A | M320-J1A LEACH SMD or Through Hole | M320-J1A.pdf | |
![]() | QSB320-TR | QSB320-TR QT SMD | QSB320-TR.pdf | |
![]() | TPS853(E(T | TPS853(E(T TOSHIBA SMD or Through Hole | TPS853(E(T.pdf | |
![]() | ESD5B5VL | ESD5B5VL WILLSEMIC SOD-523 | ESD5B5VL.pdf | |
![]() | C085NFBH | C085NFBH ADR SMD or Through Hole | C085NFBH.pdf |