창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ3V9T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ3V9T1G-ND MMSZ3V9T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ3V9T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ3V, MMSZ3V9T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0201YJ3R1BBWTR | 3.1pF Thin Film Capacitor 16V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 0201YJ3R1BBWTR.pdf | |
![]() | MMSZ5235B-7-F | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123 | MMSZ5235B-7-F.pdf | |
![]() | 47P5321 | 47P5321 NORTEL BGA | 47P5321.pdf | |
![]() | G6Y-12V | G6Y-12V ORIGINAL DIP | G6Y-12V.pdf | |
![]() | LTC3407EDD-2#TR | LTC3407EDD-2#TR LT QFN | LTC3407EDD-2#TR.pdf | |
![]() | LXV42-048SW | LXV42-048SW Excelsys SMD or Through Hole | LXV42-048SW.pdf | |
![]() | HI305185Z | HI305185Z intersil SMD or Through Hole | HI305185Z.pdf | |
![]() | MCS9845CV | MCS9845CV MOSCHIP TQFP | MCS9845CV.pdf | |
![]() | TA8735F-S | TA8735F-S TOS SOP | TA8735F-S.pdf | |
![]() | CDRH104R-68UH | CDRH104R-68UH HZ SMD or Through Hole | CDRH104R-68UH.pdf | |
![]() | E28F002BL-B150 | E28F002BL-B150 INTEL SMD or Through Hole | E28F002BL-B150.pdf | |
![]() | S-1165B17MC-N6C-TFG | S-1165B17MC-N6C-TFG SII SOT-23-5 | S-1165B17MC-N6C-TFG.pdf |