창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMSZ3V6T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMSZ3V6T1G-ND MMSZ3V6T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMSZ3V6T1G | |
| 관련 링크 | MMSZ3V, MMSZ3V6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1210Y561JBFAT4X | 560pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y561JBFAT4X.pdf | |
![]() | MKT1820415014 | 0.15µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.512" L x 0.138" W (13.00mm x 3.50mm) | MKT1820415014.pdf | |
![]() | FF12-13A-R11B | FF12-13A-R11B DDK SMD or Through Hole | FF12-13A-R11B.pdf | |
![]() | B58289 ......... | B58289 ......... MOT PLCC52 | B58289 ..........pdf | |
![]() | LQH31CNR12M03B | LQH31CNR12M03B ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH31CNR12M03B.pdf | |
![]() | CD74HC541PWR | CD74HC541PWR TI TSSOP-20 | CD74HC541PWR.pdf | |
![]() | API840 | API840 APLUS DIP20 | API840.pdf | |
![]() | SCX6B31EFA/AV | SCX6B31EFA/AV NS PLCC68 | SCX6B31EFA/AV.pdf | |
![]() | 2.2K3CG3 | 2.2K3CG3 MEAS SMD or Through Hole | 2.2K3CG3.pdf | |
![]() | TC6372AF | TC6372AF TOSHIBA SMD or Through Hole | TC6372AF.pdf | |
![]() | AD7822BRU-REEL7 | AD7822BRU-REEL7 AD TSSOP20 | AD7822BRU-REEL7.pdf | |
![]() | PSSL0810T-220M-S | PSSL0810T-220M-S Chilisin SMD or Through Hole | PSSL0810T-220M-S.pdf |