창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ3V3T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZyyyT1G, SZMMSZyyyT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Package Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ3V3T1GOS MMSZ3V3T1GOS-ND MMSZ3V3T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSZ3V3T1G | |
관련 링크 | MMSZ3V, MMSZ3V3T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | PACDN042YB3R | PACDN042YB3R CMD SC70-3 | PACDN042YB3R .pdf | |
![]() | IDT70T3539MS166BC8 | IDT70T3539MS166BC8 IDT BGA | IDT70T3539MS166BC8.pdf | |
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![]() | V15757-B6492-A2.5 | V15757-B6492-A2.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | V15757-B6492-A2.5.pdf | |
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![]() | EPM716OELC84-10 | EPM716OELC84-10 ALTERA PLCC84 | EPM716OELC84-10.pdf | |
![]() | MAZ1056-L | MAZ1056-L PANA/zDiR BlueBlue | MAZ1056-L.pdf |