창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMST4403-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMST4403 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMST4403-FDITR MMST44037F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMST4403-7-F | |
| 관련 링크 | MMST440, MMST4403-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D240FXAAC | 24pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D240FXAAC.pdf | |
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![]() | LBF21M2450H114-M20 | LBF21M2450H114-M20 ORIGINAL SMD or Through Hole | LBF21M2450H114-M20.pdf | |
![]() | 3216TD 32VAC/VDC 1.5A-12A | 3216TD 32VAC/VDC 1.5A-12A Bussmann 2.5K | 3216TD 32VAC/VDC 1.5A-12A.pdf | |
![]() | LM3701TLX | LM3701TLX NS BGA10 | LM3701TLX.pdf | |
![]() | SSG4803 | SSG4803 SeCoS SOP-8 | SSG4803.pdf | |
![]() | IT-1102W8-160G | IT-1102W8-160G ILSWIT SMD or Through Hole | IT-1102W8-160G.pdf | |
![]() | K8D1616UBA-FI09 | K8D1616UBA-FI09 SAMSUNG BGA | K8D1616UBA-FI09.pdf |