창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSF3P02HDR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSF3P02HD | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MMSF3P02HDR2GOS MMSF3P02HDR2GOS-ND MMSF3P02HDR2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMSF3P02HDR2G | |
관련 링크 | MMSF3P0, MMSF3P02HDR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RCS040214R0FKED | RES SMD 14 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040214R0FKED.pdf | |
![]() | SMD-49(16.6MHZ) | SMD-49(16.6MHZ) DAISHINKU SMD-49 | SMD-49(16.6MHZ).pdf | |
![]() | AD667JH | AD667JH ORIGINAL DIP | AD667JH.pdf | |
![]() | LC66306A | LC66306A SANYO QFP | LC66306A.pdf | |
![]() | TAJC337M004R | TAJC337M004R AVX SMD or Through Hole | TAJC337M004R.pdf | |
![]() | BAV23 -- | BAV23 -- NXP SOT-23 | BAV23 --.pdf | |
![]() | IDT92HD71B5X5NLGXB3X | IDT92HD71B5X5NLGXB3X IDT 48QFN | IDT92HD71B5X5NLGXB3X.pdf | |
![]() | L-165GYC-TR-H | L-165GYC-TR-H PARA ROHS | L-165GYC-TR-H.pdf | |
![]() | C0816JB1C223KT | C0816JB1C223KT TDK SMD or Through Hole | C0816JB1C223KT.pdf | |
![]() | STP03-7052LF | STP03-7052LF SAMSUNG QFP | STP03-7052LF.pdf | |
![]() | KS56C1620-27 | KS56C1620-27 SEC QFP | KS56C1620-27.pdf |