창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMRF2010NR1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMRF2010(G)N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 1.09GHz | |
| 이득 | 32.1dB | |
| 전압 - 테스트 | 50V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 80mA | |
| 전력 - 출력 | 250W | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 패키지/케이스 | TO-270-14 변형, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-270 WB-14 GULL | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | MMRF2010NR1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMRF2010NR1 | |
| 관련 링크 | MMRF20, MMRF2010NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MMBZ4709-G3-08 | DIODE ZENER 24V 350MW SOT23-3 | MMBZ4709-G3-08.pdf | |
![]() | MLG0603Q1N7S | 1.7nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603Q1N7S.pdf | |
![]() | NBPMLNN005PGUNV | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 75 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port | NBPMLNN005PGUNV.pdf | |
![]() | TC72-2.8MUATR | SENSOR TEMPERATURE SPI 8MSOP | TC72-2.8MUATR.pdf | |
![]() | ACM2010-900-2P-T000 | ACM2010-900-2P-T000 TDK 1206 | ACM2010-900-2P-T000.pdf | |
![]() | 593D337X06R3V2T260 | 593D337X06R3V2T260 VISHAY D | 593D337X06R3V2T260.pdf | |
![]() | MCP7A-U-B1 | MCP7A-U-B1 ATI BGA | MCP7A-U-B1.pdf | |
![]() | MG400H1US1 | MG400H1US1 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG400H1US1.pdf | |
![]() | P0603E1003BNT | P0603E1003BNT Vishay SMD or Through Hole | P0603E1003BNT.pdf | |
![]() | IMS1403P-53 | IMS1403P-53 ST DIP | IMS1403P-53.pdf | |
![]() | ADS774HINT | ADS774HINT TI PDIP-28 | ADS774HINT.pdf | |
![]() | BU61582D2-110 | BU61582D2-110 DDC DIP | BU61582D2-110.pdf |