창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMRF1316NR1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMRF1316NR1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 230MHz | |
| 이득 | 27dB | |
| 전압 - 테스트 | 50V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 100mA | |
| 전력 - 출력 | 300W | |
| 전압 - 정격 | 133V | |
| 패키지/케이스 | TO-270-4 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-270 WB-4 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | MMRF1316NR1-ND MMRF1316NR1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMRF1316NR1 | |
| 관련 링크 | MMRF13, MMRF1316NR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| ECS-196.6-12-33Q-JES-TR | 19.6608MHz ±20ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-196.6-12-33Q-JES-TR.pdf | ||
![]() | DHG30I1200HA | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | DHG30I1200HA.pdf | |
![]() | 3005P-1-203 | 20k Ohm 1W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Wirewound 20 Turn Side Adjustment | 3005P-1-203.pdf | |
![]() | AIAC-1512C-18N5J-T | 18.5nH Unshielded Wirewound Inductor 4A 3.9 mOhm Max Nonstandard | AIAC-1512C-18N5J-T.pdf | |
![]() | 31-5.6UH | 31-5.6UH LY SMD | 31-5.6UH.pdf | |
![]() | FZUE | FZUE ORIGINAL 3SOT-23 | FZUE.pdf | |
![]() | KM416V354BLT-6 | KM416V354BLT-6 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM416V354BLT-6.pdf | |
![]() | CLV3150A-LF | CLV3150A-LF Z-COMM SMD | CLV3150A-LF.pdf | |
![]() | CB2012GV080T | CB2012GV080T SAMWHA SMD | CB2012GV080T.pdf | |
![]() | QS3306AS1G | QS3306AS1G IDT SMD or Through Hole | QS3306AS1G.pdf | |
![]() | SIR-204 | SIR-204 ZYGD TOP-3-DIP-2 | SIR-204.pdf |