창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMI63S881N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MMI63S881N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP-24 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MMI63S881N | |
| 관련 링크 | MMI63S, MMI63S881N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1820515255 | 1.5µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.709" L x 0.413" W (18.00mm x 10.50mm) | MKT1820515255.pdf | |
![]() | B32231D6224M000 | 0.22µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET) Axial 0.472" W, 0.276" T x 0.748" L (12.00mm, 7.00mm x 19.00mm) | B32231D6224M000.pdf | |
![]() | DSC1001BE1-020.0000T | 20MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001BE1-020.0000T.pdf | |
![]() | NE85639-T1-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-143 | NE85639-T1-A.pdf | |
![]() | ISC1812RV681J | 680µH Shielded Wirewound Inductor 76mA 12 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RV681J.pdf | |
![]() | RT1210CRE0771R5L | RES SMD 71.5 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0771R5L.pdf | |
![]() | RP73D2A9R53BTDF | RES SMD 9.53 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A9R53BTDF.pdf | |
![]() | FU1N60 | FU1N60 IR TO-251 | FU1N60.pdf | |
![]() | AP431AT-B | AP431AT-B APEC TO-92 | AP431AT-B.pdf | |
![]() | HS-2451AS/BS (0.25) | HS-2451AS/BS (0.25) ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-2451AS/BS (0.25).pdf | |
![]() | ESD5Z5.0T1G(XHZ) | ESD5Z5.0T1G(XHZ) ON SOD523 | ESD5Z5.0T1G(XHZ).pdf | |
![]() | L-C192TBZCT-AG | L-C192TBZCT-AG OTHERS SMD or Through Hole | L-C192TBZCT-AG.pdf |