Diodes Incorporated MMDT5551-7
- 제조업체 부품 번호
- MMDT5551-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이
- 간단한 설명
- TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
- 데이터 시트 다운로드
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MMDT5551-7 가격 및 조달
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8550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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MMDT5551-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMDT5551-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMDT5551 | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 160V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMDT5551DITR MMDT5551TR MMDT5551TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMDT5551-7 | |
| 관련 링크 | MMDT55, MMDT5551-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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