창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMDT2227M-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMDT2227M | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Leadframe Material Update 09/Apr/2014 Copper bond wire 23/Feb/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Revision 23/Feb/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V, 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
주파수 - 트랜지션 | 300MHz, 200MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMDT2227M7 MMDT2227MDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMDT2227M-7 | |
관련 링크 | MMDT22, MMDT2227M-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
UF1007-E3/54 | DIODE 1A 1000V 75NS DO-41 | UF1007-E3/54.pdf | ||
TSL1112RA-332JR26-PF | 3.3mH Unshielded Inductor 260mA 4.9 Ohm Max Radial | TSL1112RA-332JR26-PF.pdf | ||
CAL45TB680K | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 780 mOhm Max Axial | CAL45TB680K.pdf | ||
RMCF1206FG11K8 | RES SMD 11.8K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG11K8.pdf | ||
U4091BM-RFNY | U4091BM-RFNY ATMEL SMD or Through Hole | U4091BM-RFNY.pdf | ||
CA3001BS | CA3001BS HAR CAN | CA3001BS.pdf | ||
SLF12555T-221MR72-RF | SLF12555T-221MR72-RF TDK SMD or Through Hole | SLF12555T-221MR72-RF.pdf | ||
STK4026-V | STK4026-V CHINA SMD or Through Hole | STK4026-V.pdf | ||
PT928-6C/F1 F1 TR1 | PT928-6C/F1 F1 TR1 EVERLIGHT DIP2p | PT928-6C/F1 F1 TR1.pdf | ||
SGL50N60BUFD | SGL50N60BUFD FAIRCHILD TO-3PL | SGL50N60BUFD.pdf | ||
SI3900DV-T1 | SI3900DV-T1 VISHAY SMD or Through Hole | SI3900DV-T1.pdf | ||
03C150 | 03C150 Sil DO-214AC | 03C150.pdf |