ON Semiconductor MMDF3N02HDR2G
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- MMDF3N02HDR2G
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- ON Semiconductor
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- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
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MMDF3N02HDR2G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMDF3N02HDR2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMDF3N02HD | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 14/Apr/2010 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | MMDF3N02HDR2GOSCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMDF3N02HDR2G | |
| 관련 링크 | MMDF3N0, MMDF3N02HDR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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