창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5261ELT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxELT1G Series | |
PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 105옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5261ELT1G | |
관련 링크 | MMBZ526, MMBZ5261ELT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C0603C829K1GACTU | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C829K1GACTU.pdf | |
![]() | 173D106X9025WE3 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 25V Axial 0.180" Dia x 0.345" L (4.57mm x 8.76mm) | 173D106X9025WE3.pdf | |
![]() | 445A23G14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23G14M31818.pdf | |
![]() | BCR 142L3 E6327 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | BCR 142L3 E6327.pdf | |
![]() | ts63y202kt20 | ts63y202kt20 vishay SMD or Through Hole | ts63y202kt20.pdf | |
![]() | 3D027 | 3D027 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3D027.pdf | |
![]() | AVNC18S04D015 | AVNC18S04D015 AMOTECH SMD or Through Hole | AVNC18S04D015.pdf | |
![]() | 7930A | 7930A SONY SOP28W | 7930A.pdf | |
![]() | TC4S71F/TE85LF | TC4S71F/TE85LF TOSHIBA SOT23-5 | TC4S71F/TE85LF.pdf | |
![]() | TC105M25AT | TC105M25AT JARO SMD or Through Hole | TC105M25AT.pdf | |
![]() | NJM2135D | NJM2135D JRC DIP8 | NJM2135D.pdf | |
![]() | LT1318CN8 | LT1318CN8 LT DIP | LT1318CN8.pdf |