창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5260B-E3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5260B-E3-08 | |
관련 링크 | MMBZ5260B, MMBZ5260B-E3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DMJ70H1D3SH3 | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | DMJ70H1D3SH3.pdf | |
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![]() | 67L045-0272 | THERMOSTAT 45 DEG NC TO-220 | 67L045-0272.pdf | |
![]() | LFKB | LFKB NSC SOP-8 | LFKB.pdf | |
![]() | 1812B154J500NT | 1812B154J500NT ORIGINAL 1812 | 1812B154J500NT.pdf | |
![]() | RJK0629DPE | RJK0629DPE Renesas TO-263 | RJK0629DPE.pdf | |
![]() | M24C02-WMN6T/W | M24C02-WMN6T/W MICROCHIP SOP8 | M24C02-WMN6T/W.pdf | |
![]() | C1206MKY5V6BB106 | C1206MKY5V6BB106 YAGEO SMD or Through Hole | C1206MKY5V6BB106.pdf | |
![]() | RF2442PCBA-L | RF2442PCBA-L RFMD SMD or Through Hole | RF2442PCBA-L.pdf |