창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5259B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 30V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5259B-FDITR MMBZ5259B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5259B-7-F | |
관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5259B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
B72214S271K531 | VARISTOR 430V 4.5KA DISC 14MM | B72214S271K531.pdf | ||
SBRT2U45LP-7 | DIODE SBR 45V 2A 3DFN | SBRT2U45LP-7.pdf | ||
SRR0618-3R3ML | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 70 mOhm Max Nonstandard | SRR0618-3R3ML.pdf | ||
RMCF2010JT300K | RES SMD 300K OHM 5% 3/4W 2010 | RMCF2010JT300K.pdf | ||
A682AE-330M=P3 | A682AE-330M=P3 TOKO SMD or Through Hole | A682AE-330M=P3.pdf | ||
LH2305 | LH2305 AMD CAN8 | LH2305.pdf | ||
BR96L56RFJ-WE2 | BR96L56RFJ-WE2 ROHM SOP-8 | BR96L56RFJ-WE2.pdf | ||
GP1FM513TZOF | GP1FM513TZOF SHARP SMD or Through Hole | GP1FM513TZOF.pdf | ||
592D475X0050D2T | 592D475X0050D2T ORIGINAL D | 592D475X0050D2T.pdf | ||
TG102C-60(f:1893-1920MHZ) | TG102C-60(f:1893-1920MHZ) ORIGINAL SMD or Through Hole | TG102C-60(f:1893-1920MHZ).pdf | ||
LT5581IMS8 | LT5581IMS8 LINEAR SMD or Through Hole | LT5581IMS8.pdf | ||
MP2R030CES72288 | MP2R030CES72288 M CONN | MP2R030CES72288.pdf |