창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5258BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5258BLT1GOS MMBZ5258BLT1GOS-ND MMBZ5258BLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5258BLT1G | |
| 관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5258BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40611AKR | 40.61MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40611AKR.pdf | |
![]() | FXO-HC335R-29.4912 | 29.4912MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC335R-29.4912.pdf | |
![]() | TRR18EZPF1204 | RES SMD 1.2M OHM 1% 1/4W 1206 | TRR18EZPF1204.pdf | |
![]() | MAX9393ETJ+ | MAX9393ETJ+ MAX SMD or Through Hole | MAX9393ETJ+.pdf | |
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![]() | ICL7650SCPDZ/ICL7650SCPA | ICL7650SCPDZ/ICL7650SCPA intersil DIP14(DIP8) | ICL7650SCPDZ/ICL7650SCPA.pdf | |
![]() | UPD424210LE-E2-UKJP | UPD424210LE-E2-UKJP NEC PLCC | UPD424210LE-E2-UKJP.pdf | |
![]() | GBR-183-4K7 | GBR-183-4K7 TELPOD SMD or Through Hole | GBR-183-4K7.pdf | |
![]() | TPA2010YZFR | TPA2010YZFR TI SMD or Through Hole | TPA2010YZFR.pdf | |
![]() | 216PDAGA23F X600 | 216PDAGA23F X600 ATI BGA | 216PDAGA23F X600.pdf |