창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5252BW-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221BW - 5259BW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 33옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5252BWDITR MMBZ5252BWTR MMBZ5252BWTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5252BW-7 | |
| 관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5252BW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445A35K25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35K25M00000.pdf | |
![]() | S1FLD-M-18 | DIODE SW 200V DO-219AB | S1FLD-M-18.pdf | |
![]() | RG3216P-1800-D-T5 | RES SMD 180 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-1800-D-T5.pdf | |
![]() | ALSR05500R0FE12 | RES 500 OHM 5W 1% AXIAL | ALSR05500R0FE12.pdf | |
![]() | CMF6022R100FKR6 | RES 22.1 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6022R100FKR6.pdf | |
![]() | HMC369LP3E | RF IC Frequency Multiplier X-Band 9.9GHz ~ 12.7GHz Active Frequency Multiplier 16-SMT (3x3) | HMC369LP3E.pdf | |
![]() | CF745-I/PT | CF745-I/PT Microchip SOP DIP SSOP | CF745-I/PT.pdf | |
![]() | LN1461C- | LN1461C- ORIGINAL SMD or Through Hole | LN1461C-.pdf | |
![]() | ALS373B | ALS373B TI SOP | ALS373B.pdf | |
![]() | 595D108X0004R2Te3 | 595D108X0004R2Te3 VISHAY SMD or Through Hole | 595D108X0004R2Te3.pdf | |
![]() | DAC0800LCN(DAC-08EP) | DAC0800LCN(DAC-08EP) NS DIP | DAC0800LCN(DAC-08EP).pdf | |
![]() | 74AVC16334DGG | 74AVC16334DGG PHI TSSOP | 74AVC16334DGG.pdf |