창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5246B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5221-57B Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5246BFS MMBZ5246BFS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5246B | |
관련 링크 | MMBZ5, MMBZ5246B 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
CMF60990K00BEEB | RES 990K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60990K00BEEB.pdf | ||
TRA3650S3P-002 | OMNI PH 3.65-3.70G 3DBI 100W BK | TRA3650S3P-002.pdf | ||
JQX-115F-012-1AHS3 | JQX-115F-012-1AHS3 HF DIP | JQX-115F-012-1AHS3.pdf | ||
TA8700 | TA8700 TOSHIBA DIP | TA8700.pdf | ||
TCD2715DG | TCD2715DG TOSHIBA CCD | TCD2715DG.pdf | ||
DF30AA120/160 | DF30AA120/160 SANREX SMD or Through Hole | DF30AA120/160.pdf | ||
XQV50E-7FG256N | XQV50E-7FG256N XILINX SMD or Through Hole | XQV50E-7FG256N.pdf | ||
6104-210-2102 | 6104-210-2102 GCELECTRONICS SOP-8 | 6104-210-2102.pdf | ||
SDA30C263M | SDA30C263M SIEMENS MQFP-80 | SDA30C263M.pdf | ||
LQ057Q3VG01ES | LQ057Q3VG01ES Sharp SMD or Through Hole | LQ057Q3VG01ES.pdf | ||
TPS3806I33DBV | TPS3806I33DBV TI SMD or Through Hole | TPS3806I33DBV.pdf | ||
TA8210AH(KIA6210AH) | TA8210AH(KIA6210AH) KEC SMD or Through Hole | TA8210AH(KIA6210AH).pdf |