창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5245B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5245B-7-F-ND MMBZ5245B-FDITR MMBZ5245B7F Q2204363 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5245B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ524, MMBZ5245B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SE FW82801BA | SE FW82801BA INTEL BGA | SE FW82801BA.pdf | |
![]() | LMN200B02 | LMN200B02 NS/DIODES SOT-363 | LMN200B02.pdf | |
![]() | PUMT1G SOT-363 T/R | PUMT1G SOT-363 T/R UTC SOT363TR | PUMT1G SOT-363 T/R.pdf | |
![]() | 2DB649AL-C | 2DB649AL-C UTC TO-126C | 2DB649AL-C.pdf | |
![]() | 2322139 | 2322139 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 2322139.pdf | |
![]() | AL101 | AL101 ORIGINAL PQFP | AL101 .pdf | |
![]() | 49f010/12ji | 49f010/12ji NA PLCC | 49f010/12ji.pdf | |
![]() | M34514M6-279FP | M34514M6-279FP ORIGINAL SOP | M34514M6-279FP.pdf | |
![]() | LP0805A0881ASTR | LP0805A0881ASTR AVX O805 | LP0805A0881ASTR.pdf | |
![]() | MAXDG407CWI | MAXDG407CWI MAX SOP | MAXDG407CWI.pdf | |
![]() | 1N828AUR-1 | 1N828AUR-1 Microsemi SMD | 1N828AUR-1.pdf |