창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5243B-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5243B-E3-18 | |
관련 링크 | MMBZ5243B, MMBZ5243B-E3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F250XXCLT | 25MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250XXCLT.pdf | |
![]() | ELF-11M080E | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 800mA DCR 330 mOhm (Typ) | ELF-11M080E.pdf | |
![]() | 340411-03 | 340411-03 AMPEX CDIP10 | 340411-03.pdf | |
![]() | AWI | AWI ORIGINAL 10THINQFN(Dual) | AWI.pdf | |
![]() | PS21MS | PS21MS NEC SOP4 | PS21MS.pdf | |
![]() | RT1N144T | RT1N144T MITSUBISHI SOT-523 | RT1N144T.pdf | |
![]() | APM6659 | APM6659 APM SMD or Through Hole | APM6659.pdf | |
![]() | EL94R628 | EL94R628 EL SOP8 | EL94R628.pdf | |
![]() | CUXAE1A4R7MQ2 | CUXAE1A4R7MQ2 SANYO SMD or Through Hole | CUXAE1A4R7MQ2.pdf | |
![]() | SN0604023DRCTG4 | SN0604023DRCTG4 TI QFN-8 | SN0604023DRCTG4.pdf | |
![]() | K4H560438EGBB3 | K4H560438EGBB3 SAM BGA OB | K4H560438EGBB3.pdf |