창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5240B-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5240BDITR MMBZ5240BTR MMBZ5240BTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5240B-7 | |
| 관련 링크 | MMBZ52, MMBZ5240B-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 403C35E24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35E24M57600.pdf | |
![]() | LHL08TB183J | 18mH Unshielded Inductor 48mA 72 Ohm Max Radial | LHL08TB183J.pdf | |
![]() | NJM2370R12 (TE1) | NJM2370R12 (TE1) JRC SSOP | NJM2370R12 (TE1).pdf | |
![]() | 8-597-921-00 BTF-WH462 | 8-597-921-00 BTF-WH462 ORIGINAL SMD or Through Hole | 8-597-921-00 BTF-WH462.pdf | |
![]() | ST72311/NUA | ST72311/NUA ST QFP-64 | ST72311/NUA.pdf | |
![]() | PAC470FR6GQ | PAC470FR6GQ CMD SSOP | PAC470FR6GQ.pdf | |
![]() | H7ET-NFV-B | H7ET-NFV-B OMRON-IA SMD or Through Hole | H7ET-NFV-B.pdf | |
![]() | MB84VP24491HKxxPBS | MB84VP24491HKxxPBS FUJITSU FBGA73 | MB84VP24491HKxxPBS.pdf | |
![]() | AM26219 | AM26219 ORIGINAL QFP | AM26219.pdf | |
![]() | HSB1109-D | HSB1109-D ORIGINAL SMD or Through Hole | HSB1109-D.pdf | |
![]() | BAS16T-7-F-DIO# | BAS16T-7-F-DIO# DIODES SMD or Through Hole | BAS16T-7-F-DIO#.pdf |