창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5235B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5235B-FDITR MMBZ5235B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5235B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5235B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| UVZ2V101MHH | 100µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2V101MHH.pdf | ||
![]() | CRCW04023K92FKEDHP | RES SMD 3.92K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW04023K92FKEDHP.pdf | |
![]() | 50v18uf | 50v18uf elna SMD or Through Hole | 50v18uf.pdf | |
![]() | 20N36G | 20N36G FAIRCHILD TO-263 | 20N36G.pdf | |
![]() | IRGKI090U06 | IRGKI090U06 IR SMD or Through Hole | IRGKI090U06.pdf | |
![]() | LANE515NH | LANE515NH SIP WALLIND | LANE515NH.pdf | |
![]() | DS1643P | DS1643P DALLAS DIP | DS1643P.pdf | |
![]() | CG51654 | CG51654 FUJ PGA | CG51654.pdf | |
![]() | HZU4.3B3TRF-E | HZU4.3B3TRF-E RENESAS/HITACHI SMD or Through Hole | HZU4.3B3TRF-E.pdf | |
![]() | STP80NE03 | STP80NE03 ST TO-220 | STP80NE03.pdf | |
![]() | CM2830AGDIM23 | CM2830AGDIM23 CHAMPION SOT23-3 | CM2830AGDIM23.pdf | |
![]() | 0603-820R1% | 0603-820R1% XYT SMD or Through Hole | 0603-820R1%.pdf |