창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5235B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1580 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5235B-FDITR MMBZ5235B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5235B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5235B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383243200JC02R0 | 4300pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP383243200JC02R0.pdf | |
![]() | MN5572 | MN5572 PANASONIC QFP-100 | MN5572.pdf | |
![]() | TCSCN1C226MDAR | TCSCN1C226MDAR SAMSUNG SMD | TCSCN1C226MDAR.pdf | |
![]() | EP1S10B672 | EP1S10B672 ALTERA BGA | EP1S10B672.pdf | |
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![]() | WP90227L4 | WP90227L4 TI IC | WP90227L4.pdf | |
![]() | 0805R100K1% | 0805R100K1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805R100K1%.pdf | |
![]() | WS25-50-C | WS25-50-C PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | WS25-50-C.pdf | |
![]() | K4S640932H-TC75 | K4S640932H-TC75 SAM TSOP | K4S640932H-TC75.pdf | |
![]() | TD82882A | TD82882A INTEL DIP | TD82882A.pdf |