창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5233B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5233B-FDITR MMBZ5233B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5233B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5233B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW1210113RBETA | RES SMD 113 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210113RBETA.pdf | |
![]() | RCP1206W1K30GS2 | RES SMD 1.3K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W1K30GS2.pdf | |
![]() | CW0101K200JE123 | RES 1.2K OHM 13W 5% AXIAL | CW0101K200JE123.pdf | |
![]() | AAI9259 | AAI9259 AAI HSOP | AAI9259.pdf | |
![]() | ATF20V8B-7SC | ATF20V8B-7SC ATMEL SOP24 | ATF20V8B-7SC.pdf | |
![]() | PFV218N20 | PFV218N20 FAIRCHILD TO-220F | PFV218N20.pdf | |
![]() | SSS-LX509F3SR21149 | SSS-LX509F3SR21149 LUMEX ROHS | SSS-LX509F3SR21149.pdf | |
![]() | CBA3216GA600N4E | CBA3216GA600N4E ORIGINAL SMD or Through Hole | CBA3216GA600N4E.pdf | |
![]() | W7NB80 | W7NB80 ST SMD or Through Hole | W7NB80.pdf | |
![]() | SI3441BDV-T1-E3. | SI3441BDV-T1-E3. VISHAY TSOP-6 | SI3441BDV-T1-E3..pdf | |
![]() | NP1H685M05011PA131 | NP1H685M05011PA131 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1H685M05011PA131.pdf | |
![]() | BAR64-06E6327 | BAR64-06E6327 INF SMD or Through Hole | BAR64-06E6327.pdf |