창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5231BLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 17옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5231BLT3G-ND MMBZ5231BLT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5231BLT3G | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5231BLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B41041B7476M | 47µF Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B41041B7476M.pdf | |
![]() | ERJ-L14KF50MU | RES SMD 0.05 OHM 1% 1/3W 1210 | ERJ-L14KF50MU.pdf | |
![]() | RT1206DRD073K9L | RES SMD 3.9K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD073K9L.pdf | |
![]() | M81702FP | M81702FP MITSUBIS SOP16 | M81702FP.pdf | |
![]() | LFTB25N19E0902BAH- | LFTB25N19E0902BAH- MURATA SMD or Through Hole | LFTB25N19E0902BAH-.pdf | |
![]() | 2285D | 2285D JRC DIP | 2285D.pdf | |
![]() | MD8086/B C | MD8086/B C INTEL DIP40 | MD8086/B C.pdf | |
![]() | LE82CLGM QN12ES | LE82CLGM QN12ES INTEL BGA | LE82CLGM QN12ES.pdf | |
![]() | 04(1.0)9FLH-SM1-TB(LF)(SN) | 04(1.0)9FLH-SM1-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 04(1.0)9FLH-SM1-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | TR90-24V-SB-A4 | TR90-24V-SB-A4 TTI SMD or Through Hole | TR90-24V-SB-A4.pdf | |
![]() | APHK1608CGCK | APHK1608CGCK ORIGINAL (ROHS) | APHK1608CGCK.pdf | |
![]() | BCX70J E6327 | BCX70J E6327 Infineon SOT23 | BCX70J E6327.pdf |