창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5230BS-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBZ5221BS - 5259BS | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 2 독립형 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5230BSDITR MMBZ5230BSTR MMBZ5230BSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5230BS-7 | |
| 관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5230BS-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ABS07-32.768KHZ-6-T | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 70k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연 | ABS07-32.768KHZ-6-T.pdf | |
![]() | FD0360018 | 3.6864MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | FD0360018.pdf | |
![]() | CMF5523K700FKR6 | RES 23.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5523K700FKR6.pdf | |
![]() | 12.270MHZ | 12.270MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 12.270MHZ.pdf | |
![]() | 943-14-005-00 | 943-14-005-00 w-pproducts SMD or Through Hole | 943-14-005-00.pdf | |
![]() | 100313070-50 | 100313070-50 AGERE QFP | 100313070-50.pdf | |
![]() | U2502SA | U2502SA N/A SOP | U2502SA.pdf | |
![]() | MC1594/BEJAC | MC1594/BEJAC MOT SMD or Through Hole | MC1594/BEJAC.pdf | |
![]() | TL431AILPRA | TL431AILPRA ON SMD or Through Hole | TL431AILPRA.pdf | |
![]() | K4N51163Q | K4N51163Q SAMSUNG SMD or Through Hole | K4N51163Q.pdf | |
![]() | MTB2N60E/D | MTB2N60E/D MOT/ON TO-263 | MTB2N60E/D.pdf | |
![]() | BB592 | BB592 INFINEON SMD or Through Hole | BB592.pdf |