창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5230B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5230B-FDITR MMBZ5230B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5230B-7-F | |
관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5230B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DSC1033DI1-018.4320T | 18.432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1033DI1-018.4320T.pdf | |
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![]() | RCP0505B620RJTP | RES SMD 620 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B620RJTP.pdf | |
![]() | CFM14JT1M10 | RES 1.1M OHM 1/4W 5% CF MINI | CFM14JT1M10.pdf | |
![]() | MC74AC163N | MC74AC163N MOT DIP | MC74AC163N.pdf | |
![]() | 10D-48S15N | 10D-48S15N YDS SIP | 10D-48S15N.pdf | |
![]() | LE80536/SL869/760/2.0/2M/533 | LE80536/SL869/760/2.0/2M/533 INTEL PGA | LE80536/SL869/760/2.0/2M/533.pdf | |
![]() | SAA7121H+ | SAA7121H+ NXP QFP44 | SAA7121H+.pdf | |
![]() | 74HC4059 | 74HC4059 ORIGINAL SOP | 74HC4059.pdf | |
![]() | DS1-S-DC9V | DS1-S-DC9V AROMAT SMD or Through Hole | DS1-S-DC9V.pdf | |
![]() | S-80738AN-D2-T1(D2) | S-80738AN-D2-T1(D2) SEIKO SOT89 | S-80738AN-D2-T1(D2).pdf | |
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