창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5230B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5230B-FDITR MMBZ5230B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5230B-7-F | |
관련 링크 | MMBZ523, MMBZ5230B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 445C3XL16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XL16M00000.pdf | |
![]() | FXGO5200 32M | FXGO5200 32M NVIDIA BGA | FXGO5200 32M.pdf | |
![]() | SE5167BLN-LE-2.8V | SE5167BLN-LE-2.8V SE SOT23-3L | SE5167BLN-LE-2.8V.pdf | |
![]() | X401 | X401 china SMD or Through Hole | X401.pdf | |
![]() | OSX5X3.2 20.000MHZ 3.3V +-50PPM | OSX5X3.2 20.000MHZ 3.3V +-50PPM JYEG ROHS | OSX5X3.2 20.000MHZ 3.3V +-50PPM.pdf | |
![]() | TDF8599TD/N2,512 | TDF8599TD/N2,512 NXP SOT938 | TDF8599TD/N2,512.pdf | |
![]() | THC68LVDM83A | THC68LVDM83A THINE TSOP | THC68LVDM83A.pdf | |
![]() | LC7370 | LC7370 ORIGINAL DIP | LC7370.pdf | |
![]() | SG-51P-16M-C | SG-51P-16M-C EPSON-TOYOCOM STOCK | SG-51P-16M-C.pdf | |
![]() | JPF-21E-912.5/69104 | JPF-21E-912.5/69104 ORIGINAL SMD or Through Hole | JPF-21E-912.5/69104.pdf | |
![]() | LM1084R-1.5V | LM1084R-1.5V HTC/Korea TO263-3LD | LM1084R-1.5V.pdf |